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Prozessoren

16.01.2015 | 09:09 Uhr |

Sowohl AMD als auch Intel legen bei den für 2015 geplanten Prozessoren ihr Hauptaugenmerk auf eine höhere Effizienz und eine stärkere integrierte Grafiklogik.

Klar im Trend liegt auch die Bevorzugung der mobilen Baureihen, die inzwischen Monate vor den Desktop-Varianten erscheinen und deutlich kürzere Produktzyklen aufweisen.

Mitte 2015 will Intel drei Prozessor-Baureihen auf den Markt bringen: Das Desktop-Flaggschiff mit einer TDP von maximal 95 Watt hört auf den Codenamen „Broadwell Unlocked“ (früher: Broadwell-K) und ist dank des frei wählbaren Multiplikators übertaktbar.

Sowohl für das mobile Segment als auch für Desktops ist der Skylake S mit einer maximalen Verlustleistung zwischen 35 und 65 Watt gedacht. Die Prozessoren bekommen mit LGA1151 auch einen neuen Sockel. Beim Speicher lässt Intel den Herstellern die Wahl zwischen DDR3-Speicher mit 1,35 Volt oder DDR4-Modulen mit 1,2 Volt. Das Topmodell der integrierten Grafiklogik heißt GT4e und hat 128 MB eDRAM sowie 72 Ausführungseinheiten für 50 Prozent mehr Leistung. Der Z170-Chipsatz unterstützt als Neuerung dreimal SATA Express 2x und viermal M.2.

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Bei der CPU-Plattform Skylake überarbeitet Intel die Grafiklogik, den Chipsatz und die Netzwerk-Bausteine.
Vergrößern Bei der CPU-Plattform Skylake überarbeitet Intel die Grafiklogik, den Chipsatz und die Netzwerk-Bausteine.
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Ausschließlich für den mobilen Einsatz ist der Broadwell im BGA-Sockel, der maximale Verbrauchswerte zwischen 15 und 28 Watt bietet. Am unteren Ende der Roadmap tritt der Tablet-Prozessor Broadwell im SOC-BGA-Modul mit einer maximalen Verlustleistung von 10 Watt das Erbe des Baytrail-D an.

Bei AMD bekommt die Kaveri-Generation mit dem „Carrizo“ eine behutsame Weiterentwicklung verordnet. Dank HSA-Architektur, Optimierungen im Mikrocode und in der Fertigung soll er bis zu 30 Prozent mehr Leistung bringen. Erst 2016 plant AMD mit dem Zen eine neue x86-Prozessor-Architektur, die im 16-Nanometer-Prozess auf Grundlage der FinFET-Technik gefertigt werden soll. Der dreidimensionale Aufbau des Schaltkreises ermöglicht eine höhere Transistordichte und kürzere Schaltzeiten bei geringerer Störanfälligkeit gegenüber Frequenz- und Temperaturschwankungen.

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