Samsung hat heute die Entwicklung eines neuen 16-Gigabit GDDR6-DRAM für Grafikkarten mit einer Übertragungsrate von bis zu 24 Gbit/s bekannt gegeben. Der Speicher basiert auf der dritten Generation von Samsungs 10-Nanometer-Fertigungsverfahren und wird mithilfe sogenannter Extrem-Ultraviolett-Litografie (EUV) hergestellt. Der Chip soll in Premium-Grafikkarten Anwendung finden und in der Lage sein, bis zu 1,1 Terabytes pro Sekunde an Daten zu verarbeiten.
30 Prozent schneller, 20 Prozent effizienter
Die neuen Speicherchips sind mit ihrer Datenübertragung von 24 Gbit/s 30 Prozent schneller als der Vorgänger mit 18 Gbit/s. Dafür verwendet Samsung ein neues Schaltkreis-Design und setzt zur Isolierung auf High-K Metal Gates, statt dem üblichen Siliziumdioxid. Die Speicherchips entsprechen außerdem den neuesten Standards für GDDR6 DRAM, die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) aufgestellt werden. Somit sollen Sie kompatibel mit allen GPU-Designs sein und damit geeignet für eine breite Vielzahl an Grafiklösungen.
Für Laptops und Geräte, bei denen Energieeffizienz wichtig ist, soll der Speicher außerdem die Möglichkeit bieten, die anliegende Spannung an die Anforderungen anzupassen. Samsung hat angekündigt, auch Optionen mit 20 Gbit/s und 16 Gbit/s anzubieten, die bei einer Spannung von 1,1 Volt rund 20 Prozent effizienter sind als der Industriestandard von 1,35 Volt.
Autor: Kris Wallburg, Redakteur
Kris schreibt besonders gerne über Gaming und Hardware, fühlt sich aber in fast jedem Technik-Thema zuhause.