Mit Resistive RAM (kurz: RRAM) steht bereits der Nachfolger der Flash-Technik in den Startlöchern. Das amerikanische Unternehmen Crossbar hat nun einen Chip angekündigt, auf dem ein TByte an Daten untergebracht werden kann. Die Geschwindigkeit übertrifft herkömmlichen Flash-Speicher um den Faktor 20 und auch der Stromverbrauch soll deutlich niedriger ausfallen.
Nach dreijähriger Forschung sowie der Übernahme von Patenten der Universität Michigan kann Crossbar nun endlich handfeste Ergebnisse vorweisen. Auf einer Fläche von 200 Quadratmillimetern will das Unternehmen bis zu einen Terabyte speichern, eine Stapelung der Chips könnte diese Menge zusätzlich steigern.
Mobile Geräte könnten außerdem von der deutlich geringeren Leistungsaufnahme profitieren, diese betrage im Vergleich zu Flash-Speicher lediglich 5 Prozent. Das Hauptverkaufsargument für RRAM von Crossbar ist jedoch das hohe Tempo, das fast die Geschwindigkeiten von RAM-Chips erreicht. Trotzdem könnte die Haltbarkeit der Bausteine die herkömmlicher Flash-Speicher um den Faktor 10 übertreffen.
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Noch steht jedoch nicht fest, wann die ersten Geräte mit RRAM in den Handel kommen könnten.
Autor: Michael Söldner, Autor
Michael Söldner schreibt News zu den Themen Windows, Smartphones, Sicherheit, Hardware, Software, Gaming, Auto sowie Raumfahrt auf pcwelt.de.