Samsung stellt 840 Evo vor

Samsung hat die Speicherchips für seine neue SSD-Serie 840 Evo auf die Strukturbreite der 10-Nanometer-Klasse (10 bis 19 nm) geschrumpft. Das erlaubt theoretisch mehr Tempo bei geringerer Leistungsaufnahme. Wie schon die Vorgängerserie Samsung 840 ist auch die 840-Evo-Familie in einem nur 7 Millimeter flachen 2,5-Zoll-Gehäuse untergebracht und passt dadurch auch in viele ultraportable Geräte. Ein Temperatur-Sensor überwacht die Hitzeentwicklung und soll die SSD drosseln, wenn sie zu heiss wird. Samsung bietet die Evo-Baureihe ab Ende Juli mit Bruttokapazitäten von 120, 250, 500, 750 und 1000 GB an. Die Preise liegen bei circa 110, 190, 370, 530 sowie 650 Euro.

Die Evo-Varianten nutzen den MEX-Controller, der auf einem 400 MHz schnellem ARM-Cortex-R4 mit drei Rechenkernen basiert und den SATA-3-Standard mit Transferraten von bis zu 6 GBit/s unterstützt. Der 8-Kanal-Controller steuert Toggle-2.0-DDR-NAND aus der 19-Nanometer-Fertigung – bestehend aus TLC-Flashzellen – an, die im Gegensatz zu den gebräuchlichen MLC-Bausteinen drei statt zwei Bits pro Zelle speichern. Der Pufferspeicher ist beim Einsteigermodell 256 MB groß, die mittleren Varianten besitzen 512 MB und das Spitzenmodell darf auf einen 1024 MB mächtigen Cache zugreifen.

Samsung 840 Evo

©Samsung

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Samsung 840 Evo

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Samsung will die 840 Evo in drei Ausstattungsvarianten anbieten. Alle Modelle gibt es in der Basis-Variante mit einer CD, die eine Cloning-Software und das Tool-Paket Samsung SDD Magician enthält. Zusätzlich gibt es die 250- und 500-GB-Variante im Laptop-Paket, das neben der Software-CD ein SATA-auf-USB-3.0-Adapterkabel und eine Bauhöhenerweiterung auf 9,5 Millimeter (Mounting Spacer) enthält. Das Desktop-Kit besteht aus 2,5-auf-3,5-Zoll-Einbaurahmen, acht Schrauben, SATA-Datenkabel sowie SATA-auf-USB-3.0-Adapterkabel und ist nur für die 120- und 250-GB-Variante erhältlich. Der Aufpreis zu den Basis-Modellen liegt bei 15 bis 20 Euro.

Mittels der TurboWrite-Technik, hier nutzt der Controller – vom Einsteigermodell aufsteigend – 3, 3, 6, 9 sowie 12 Gigabyte der Speicherkapazität exklusiv als virtuelles SLC-NAND (er speichert dann pro Flashzelle nur ein Bit statt drei Bits), das als zusätzlicher Schreibpuffer dient. Angaben zur Leistungsfähigkeit der Samsung 840 Evo hat der Hersteller auch schon veröffentlicht. Danach soll die neue SSD-Familie das Niveau der Samsung 840 Pro zum Teil ereichen oder sogar übertreffen: Das Einsteigermodell Samsung 840 Evo 120GB ist mit einer sequenziellen Schreibraten von maximal 410 MB/s langsamer als der Rest der Familie, die auf Spitzengeschwindigkeiten von bis zu 520 Megabyte pro Sekunde kommt.  Das Lesetempo soll hingegen bei allen Modellen bis zu 540 MB/s erreichen. Das wahlfreie Lese- und Schreibtempo gibt Samsung mit 98.000 beziehungsweise 90.000 Ein-und Ausgabe-Befehlen pro Sekunde an (IOPS bei 4KB Random, QD32). Beim den Varianten mit 120 und 250 GB fallen die IOPS-Werte beim Lesen mit 94.000 respektive 97.000 sowie beim Schreiben mit 35.000 beziehungsweise 66.000 deutlich geringer aus.

Schafft 3000 MB/s: Samsung NVM Express SSD XS1715 für Server

Neben der Evo-Baureihe hat Samsung auch noch eine SSD für den Unternehmenseinsatz mit NVM-Express-Anschluss vorgestellt. NVM Express ist ein speziell für SSD erweiterte Schnittstellen-Standard von PCI Express. Die Samsung NVM Express XS1715 ist mit Bruttokapazitäten von 400, 800 und 1600 Gigabyte verfügbar und soll Ende 2013 auf den Markt kommen. Dank der NVM-Express-Schnittstelle soll das Flagschiff der XS1715-Serie mit 1,6 Terabyte eine sequenzielle Leserate von bis zu 3000 Megabyte pro Sekunde erzielen. Noch eindrucksvoller klingt die IOPS-Leistung der Enterprise-SSD, die laut Hersteller beim wahlfreien Lesen bis zu 740.000 Ein-und Ausgabe-Befehlen pro Sekunde beträgt.