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Für Galaxy S10: Samsung stellt 1-TB-Speicherchip vor

30.01.2019 | 11:16 Uhr | Panagiotis Kolokythas

Samsung hat den weltweit ersten Speicherchip für Smartphones vorgestellt, der Platz für 1 Terabyte Daten bietet.

Samsung hat den weltweit ersten Universal Flash Storage mit einem Fassungsvermögen von 1 Terabyte vorgestellt. Der Speicherbaustein basiert auf der fünften Generation der V-Nand-Technologie von Samsung. Der Einsatzzweck? Natürlich das Galaxy S10, welches in knapp drei Wochen offiziell vorgestellt werden soll. Mehr zu den Gerüchten rund um die Ausstattung des Samsung Galaxy S10 lesen Sie in diesem Beitrag:

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Mit dem neuen Speicherbaustein lassen sich Smartphones mit einem internen Speicher von 1 Terabyte statt der üblichen 64 Gigabyte bauen. Der 1-TB-Speicherchip ist laut Samsung außerdem 10 Mal schneller als typische Micro-SD-Karten. Der embedded Universal Flash Storage, kurz eUFS, ist gemäß des 2.1-Standards gebaut.

Samsung hatte die erste eUFS-Lösung vor knapp vier Jahren vorgestellt. Auf den Speicherbaustein passten seinerzeit nur 128 Gigabyte an Daten. Die Erhöhung auf 1 Terabyte bedeutet, dass Smartphone-, Tablet- und Notebook-Besitzer noch mehr Daten auf dem internen Speicher der Geräte ablegen können, ohne einen externen Speicher zu benötigen.

Der neue 1-Terabyte-eUFS von Samsung ist 11,5 Millimeter mal 13 Millimeter klein. Im November 2017 hatte Samsung den 512 GB eUFS 2.1 vorgestellt. Bei der 1-TB-Variante kommen 16 übereinanderliegende Layer mit 512-GB-V-Nand-Flash-Speicher und ein neuentwickelter, proprietärer Controller zum Einsatz.

Auf den 1-TB-Speicherbaustein passen damit 260 je 10 Minuten lange 4K-UHD-Videos (3.840 x 2.160 Pixel), wie Samsung vorrechnet. Bei 64-GB-eUFS sind es dagegen nur maximal 13 Videos.

Auch die Geschwindigkeit konnte Samsung merklich steigern. Hier der Vergleich zum Vorgänger:

  • Samsung 512-GB-eUFS 2.1: 860 MB/s (sequenzielle Lesegeschwindigkeit), 255 MB/s (sequenzielle Schreibgeschwindigkeit), 42.000 IOPS (zufällige Lesegeschwindigkeit), 40.000 IOPS (zufällige Schreibgeschwindigkeit)

  • Samsung 1-TB-eUFS 2.1: 1.000 MB/s, 260 MB/s, 58.000 IOPS, 50.000 IOPS

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