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Samsung SSD 850 Evo im Test

08.12.2014 | 22:22 Uhr |

Die Samsung 850 Evo soll die SSD-Einsteigerklasse aufmischen - mit 3D-TLC-Flashspeicher, dreistufiger Cache-Architektur, 5 Jahren Garantie und einer Gesamtschreibleistung (TBW) von bis zu 150 Terabytes.

Die SSD-Baureihe Samsung 850 Evo stattet der Hersteller - ebenso wie die Samsung SSD 850 Pro - mit dreidimensionalen Flashspeicher aus. Im Gegensatz zu herkömmlichem Flash stapeln sich bei Samsungs 3D V-NAND die Speicherzellen in 32 Schichten übereinander - was in einer deutlich höhere Datendichte resultiert. Das verbilligt nicht nur die Produktion, sondern erweitert auch den Spielraum, um Interferenzen zu minimieren, die Haltbarkeit der Zellen zu erhöhen und die Leistungsaufnahme zu senken. Samsung behauptet sogar, dass durch 3D V-NAND auch die Schreibgeschwindigkeit steigen kann. Ob dies alles zutrifft und wie die neue SSD-Serie im Vergleich zur Vorgängergeneration Samsung SSD 840 Evo abschneidet, klärt unser großer Vergleichstest.

Samsung 850 Evo 500GB: Das beste Modell der SSD-Serie im Einzel-Test

Modelle und Preise der Samsung 850 Evo

Samsung bietet die 850 Evo mit Bruttokapazitäten von 120, 250, 500 und 1000 GB an. Ausstattungsvarianten gibt es diesmal keine. Die neue Evo liefert Samsung ohne Einbaurahmen und Adaptern aus, im Lieferumfang ist nur eine CD mit der Cloning- und Backup-Lösung Samsung Smart Migration und der Tool-Sammlung Samsung Magician Software enthalten. Dazu gibt es einen bebilderten Installations-Guide und das "Warranty Statement Summary", das minutiös die Bedingungen für den Garantiefall beschreibt. Die Herstellergarantie liegt übrigens bei fünf Jahren. Die 2,5-Zoll-SATA-Varianten sind ab dem 10. Dezember 2014 im Handel, Anfang 2015 will Samsung die 850 Evo aber auch mit mSATA- und M.2-Schnittstelle anbieten.

Die unverbindliche Preisempfehlung liegt zum Start bei rund 91, 137, 247 sowie 457 Euro. Damit kostet das Gigabyte brutto 76, 55, 49 respektive 46 Cent. Im Vergleich zum Marktumfeld - die 850 Evo konkurriert mit Modellen wie der Crucial MX100 und Sandisk Ultra II - ist das nicht besonders preiswert. Man muss aber kein Hellseher sein, um vorauszusagen, dass die Straßenpreise für die 850-Evo-Modelle noch vor Jahresende deutlich fallen dürften - wir rechnen mit einem Preissturz von bis zu 20 Prozent. Das die Preisvorstellung von Samsung für die 850 Evo zu hoch gegriffen ist, zeigt auch der Vergleich mit den Straßenpreisen der großen Schwester Samsung 850 Pro, die aktuell ab 93 (128 GB), 148 (256 GB), 282 (512 GB) und 511 Euro (1 TB) zu haben ist.

Preis im Vergleich

Straßenpreis / UVP (Euro) 1)

Gigabyte-Preis (Euro) 2)

Samsung 850 Evo 120GB

91

0,76

Samsung 850 Evo 250GB

137

0,55

Samsung 850 Evo 500GB

247

0,49

Samsung 850 Evo 1TB

457

0,46

Samsung 840 Evo 120GB

66

0,55

Samsung 840 Evo 250GB

106

0,42

Samsung 840 Evo 500GB

196

0,39

Samsung 840 Evo 1TB

344

0,34

Samsung 850 Pro 128GB

93

0,73

Samsung 850 Pro 256GB

148

0,58

Samsung 850 Pro 512GB

282

0,55

Samsung 850 Pro 1TB

511

0,51

1) Straßenpreise und UVPs vom 9.12.2014 2) auf Basis der unformatierten Bruttokapazität

Technik: Controller- und Cache-Architektur der Samsung 850 Evo

Die in einem 7 Millimeter flachen 2,5-Zoll-Gehäuse untergebrachten SSDs wiegen lediglich zwischen 43 und 45 Gramm. Wie bei Samsung üblich stammen alle Halbleiterbausteine vom Festplatten-Controller über den Cache-Chip bis hin zum Flashspeicher aus eigener Produktion. Als zentrale Schaltstelle fungiert der SATA-3-Controller Samsung MGX (Ausnahme: das 1-TB-Modell nutzt den MEX-Controller der 850 Pro), der auf dem ARM Cortex R4 mit drei Rechenkernen basiert. Der 8-Kanal-Controller steuert 3D V-NAND aus der 40-Nanometer-Fertigung an.

Oberseite der SSD-Platine mit Cache (oben), MGX-Controller (Mitte) und 3D V-NAND (unten): Von links nach rechts die Samsung 850 Evo mit 120, 250 und 500 GB.
Vergrößern Oberseite der SSD-Platine mit Cache (oben), MGX-Controller (Mitte) und 3D V-NAND (unten): Von links nach rechts die Samsung 850 Evo mit 120, 250 und 500 GB.

Wie bereits bei der 840 Evo setzt Samsung auch bei der 850 Evo MLC-Flashspeicher des Typs TLC (Triple Level Cell) ein, der statt zwei gleich drei Bits pro Flashzelle speichert. Beachtlich ist die Gesamtschreibleistung (Total Bytes Written = TBW) des TLC-Flashspeichers: Laut Samsung hat sich die TBW im Vergleich zur 840 Evo (44 TB) beim 120- und 250-GB-Modell der 850 Evo mit 75 Terabytes fast verdoppelt und bei dem 500- und 1000-GB-Modell mit 150 Terabytes sogar nahezu vervierfacht. Von der große Schwester hat die 850 Evo die Verschlüsselungs-Methoden geerbt: Sie können das Laufwerk automatisch per 256-Bit-AES-Verschlüsselung schützen, per Verwaltungs-Software über den TCG-Standard Opal 2.0 und über das IEEE-1667-Protokoll, etwa für die Bitlocker-2.0-Laufwerkverschlüsselung unter Windows 8.

Der Pufferspeicher ist beim Einsteigermodell Samsung 850 Evo 120GB lediglich 256 MB groß, die Varianten mit 250 und 500 GB besitzen 512 MB und die Versionen mit einem TB darf auf einen 1024 MB mächtigen Cache zugreifen. Alle Modelle nutzen einen zusätzlichen Pufferspeicher für Schreibzugriffe, den Samsung als "TurboWrite"-Cache bezeichnet. Dabei handelt es sich nicht um einen weiteren Microchip, vielmehr nutzt Samsung einen kleinen Teil des TLC-Flashspeichers als virtuelles SLC (Single Level Cell), das dann nur 1 statt 3 Bit pro Flashzelle speichert. Der zusätzliche Schreibpuffer "TurboWrite" ist - vom Einsteigermodell aufsteigend - exklusiv 3, 3, 6 sowie 12 Gigabyte groß.

Technsiche Daten im Vergleich

Samsung 850 Evo 

Samsung 840 Evo 

Samsung 850 Pro 

Kapzitäten (GB)

120 / 250 / 500 / 1.000

120 / 250 / 500 / 750 / 1.000

128 / 256 / 512 / 1.000

Schnittstellen

2,5 Zoll SATA, mSATA, M.2

2,5 Zoll SATA, mSATA

2,5 Zoll SATA

NAND-Speicher

40 nm 3D V-NAND (TLC)

19 nm NAND (TLC)

40 nm 3D V-NAND (MLC)

Controller

MGX / MGX / MGX / MEX

MEX

MDX

Verschlüsselung

 256 Bit AES FDE, TCG Opal 2.0, IEEE-1667

 256 Bit AES FDE 

 256 Bit AES FDE, TCG Opal 2.0, IEEE-1667

LPDDR2-Cache (MB)

56 / 512 / 512 / 1.000

256 / 512 / 512 / 1000 /1000

256 / 512 / 512 / 1.000

TurboWrite-SLC-Cache (GB)

3 / 3 / 6 / 12

3 / 3 / 6 / 9 / 12

nicht vorhanden

TBW (TB)

75 / 75 / 150 / 150

44

150

Garantie (Jahre)

5

3

10

Markteinführung 

10.12.2014

01.07.2014

25.07.2013

Für den TurboWrite-Cache muss Samsung die dreifache Menge an TLC-NAND von der Bruttokapazität abzwacken, die dann nicht für Over-Provisioning und die Datenspeicherung zur Verfügung stehen. Wie schnell der als SLC-Flashspeicher genutzte Bereich altern wird, lässt sich nicht seriös abschätzen. Bei einer Gesamtschreibleistung von 75 beziehungsweise 150 Terabyte sollte er aber genügend Ausdauer für die permanente Nutzung als Schreibpuffer mitbringen. Vermutlich hält Samsung auch noch zusätzliche Kapazität in Reserve, um "müde" TurboWrite-Zellen ersetzen zu können.

Im RAPID-Modus nutzt die Samsung 850 Evo einen Teil des Arbeitsspeichers als primäre Cache-Stufe. Das sorgt in Benchmarks für Rekorddatenraten, bringt in der Praxis aber keinen spürbaren Tempovorteil.
Vergrößern Im RAPID-Modus nutzt die Samsung 850 Evo einen Teil des Arbeitsspeichers als primäre Cache-Stufe. Das sorgt in Benchmarks für Rekorddatenraten, bringt in der Praxis aber keinen spürbaren Tempovorteil.

Die dritte Cache-Stufe der 850 Evo - der RAPID-Modus („Real-time Accelerated Processing of I/O Data“) - lässt sich über die Samsung Magician Software aktivieren. Das Programm reserviert ein Gigabyte des Arbeitsspeichers als zusätzlichen Datenpuffer. Der reservierte Bereich des Hauptspeichers fungiert dabei als vorgeschaltete RAM-Disk und bildet de facto die primäre Cache-Stufe der SSD vor dem "TurboWrite"-Cache und dem eigentlichen Pufferspeicher-Chip. Im RAPID-Modus erreichen Sie in diversen Benchmark-Tests Datenraten, die weit über das theoretische Maximum der SATA-3-Schnittstelle gehen - im Alltagseinsatz macht sich der Tempoturbo aber kaum bemerkbar. Wenn Sie viel Speicher im PC verbaut haben, sollten Sie den RAPID-Modus aber ruhig einmal ausprobieren.

Auf der nächsten Seite finden Sie die Ergebnisse der Tempo-Tests.

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