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Transistortechnik neu definiert

Die 45-nm-Fertigungstechnik schafft die Basis für die nächste Generation innovativer Multicore-Prozessoren mit hoher Leistung und Energieeffizienz. Dieses Whitepaper verrät technische Details und Unterschiede zu bisherigen Konzepten.

Intels Schritt zur 45-nm-Technik mit einer Hafniumverbindung als Gate-Isolator mit hoher Dielektrizitätskonstante k und einem metallischen Gate (HKMG-Technik) stellt eine revolutionäre Entwicklung in der Transistortechnik dar.

Die neue Fertigungstechnik kommt erstmals bei den 2008 vorgestellten Intel-Prozessoren mit dem Codenamen Penryn zum Einsatz. Für Notebook-, Desktop- und Serversysteme, bei denen hohe Leistung und Energieeffizienz gefragt sind, wird sie grundlegende Veränderungen herbeiführen.

Im Vergleich zu der von Intel 2005 eingeführten 65-nm-Architektur bringt die neue Technik eine Reihe von Verbesserungen: Dank doppelter Transistordichte kann die Chipgröße verkleinert und die Anzahl der Transistoren erhöht werden. Das Umschalten der Transistoren erfordert 30 Prozent weniger Energie. Die Schaltvorgänge können um 20 Prozent beschleunigt beziehungsweise die Source-Drain-Leckströme auf lediglich ein Fünftel des vorherigen 65-nm-Prozesses reduziert werden. Die Gate-Isolator-Leckströme betragen lediglich ein Zehntel der vorhergehenden Prozesstechnik.

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