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Schnellerer DDR-RAM von Samsung

17.08.2001 | 16:15 Uhr |

Bei Samsung geht einer neuer DDR-RAM-Chip in die Massenproduktion. Die Speicherbausteine werden in der 0,15 Mikron-Technologie gefertigt und erlauben eine Datenübertragungsrate von 333 MBit pro Sekunde. Im Vergleich zum herkömmlichen DDR-RAM-Speicher konnte die Datenübertragungsrate um 25 Prozent gesteigert werden.

Bei Samsung geht einer neuer DDR-RAM-Chip in die Massenproduktion. Die neuen Speicherbausteine werden in der 0,15 Mikron-Technologie gefertigt und erlauben eine Datenübertragungsrate von 333 MBit pro Sekunde. Dies hat das Unternehmen heute bekannt gegeben .

Der neue DDR-RAM-Speicher ist knapp 25 Prozent schneller als der DDR266 und 2,5 mal so schnell wie der PC133 SD-RAM. Die Leistungssteigerung wurde durch die Erhöhung der Taktrate auf 166 Megahertz (2 x 166 = 333 Megahertz) erreicht. Die bisher üblichen PC266-DDR-Speicherbausteine sind mit 133 Megahertz getaktet.

Samsung wird die flotten DDR-Chips mit der Bezeichnung PC333 (DDR333) auf den Markt bringen.

Angeboten werden sollen 128 Megabyte DDR 333 bestehend aus 16 mal acht Megabyte-Chips, 256 Megabyte DDR 333 bestehend aus vier mal 64 Megabyte-Chips und 256 Megabyte DDR 333 bestehend aus acht mal 32 Megabyte-Chips. Die Preise für die jeweiligen Chips stehen bislang noch nicht fest.

Hauptabnehmer des neuen Speichers von Samsung sind Hersteller von Grafikkarten und Spielekonsolen. Bis zum Ende des Jahres will Samsung den Produktionsanteil von DDR-Speicher von bisher fünf auf 20 Prozent steigern.

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