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Revolution im Speichermarkt

07.12.2000 | 16:00 Uhr |

IBM und Infineon Technologies wollen gemeinsam eine neuartige Speichertechnologie entwickeln, die nicht nur stromsparender ist, sondern auch die bisherigen Entwicklungen in diesem Bereich ablösen könnte.

IBM und Infineon Technologies haben bekannt gegeben, zusammen an einer neuartigen Speichertechnologie zu arbeiten, die die bisherigen Speicherbausteine ersetzen könnte.

Die so genannte MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technik nutzt magnetische statt elektronischer Ladungselemente für die Speicherung der Datenbits. Die so gespeicherten Daten bleiben auch nach dem Abschalten des Gerätes erhalten. Somit wären PCs bei Inbetriebnahme ohne Boot-Vorgang sofort einsatzbereit.

MRAM-Bausteine benötigen keine ständige Stromversorgung, um Daten zu speichern. Dies führt zu einer geringeren Leistungsaufnahme als bei anderen RAM-Technologien und somit zu einer längeren Ausdauer des Akkus bei Notebooks.

MRAM kombiniert somit die Vorteile der verschiedenen RAM-Technologien - die hohe Geschwindigkeit von SRAMs, die Dichte und die Kostenvorteile von DRAMs sowie die nichtflüchtige Speicherung von Flash-Speichern.

"MRAM hat das Potenzial, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computer-Generationen zu ersetzen," meinte Bijan Davari, IBM Fellow und Vice President of Technology and Emerging Products bei IBM Microelectronics. "Die heutige Ankündigung markiert einen wichtigen Schritt, der die MRAM-Technologie vom reinen Forschungsobjekt zur Entwicklung von Produkten führt. Damit kommen wir der Realisierung von MRAM ein großes Stück näher." (PC-WELT, 07.12.2000, mp)

PC-WELT Service: Die aktuellen RAM-Preise

Infineon fertigt in Dresden PC-WELT Online, 25.95.2000)

Infineon in Chip-Weltrangliste (PC-WELT Online, 15.04.2000)

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