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Intel gelingt 65nm-Fertigungsprozess

25.11.2003 | 10:11 Uhr |

Erstmals hat Intel voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory) basierend auf 65 Nanometer Technologie hergestellt. Nach Einschätzung des Unternehmens kann der Fertigungsprozess damit ab 2005 zum Einsatz kommen.

Erstmals hat Intel voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory) basierend auf 65 Nanometer Technologie hergestellt. Nach Einschätzung des Unternehmens kann der Fertigungsprozess damit ab 2005 zum Einsatz kommen.

Die 65 Nanometer Technologie ist eine Kombination aus Transistoren der zweiten Generation - Intel spricht in diesem Zusammenhang auch von Strained Silicon - und so genannten Interconnects aus Kupfer.

Hintergrund: Mit Hilfe des Strained Silicon wird der Stromfluss effizienter. Die Fertigungskosten sollen sich dabei nur unwesentlich erhöhen - um gerade zwei Prozent, so Intel. Die Interconnects aus Kupfer wiederum sorgen für eine höhere Signalgeschwindigkeit und geringeren Stromverbrauch.

Was sich Intel von der neuen Technologie verspricht, erklärt Dr. Sunlin Chou, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology und Manufacturing Group: "Intel setzt mit der 65nm Technologie den seit 15 Jahren bestehenden Trend fort, alle zwei Jahre einen neuen Fertigungsprozess einzuführen. Tatsächlich sind sogar nur 20 Monate vergangen, seit wir die volle Funktionsfähigkeit von SRAMs auf Basis unseres 90nm Prozesses angekündigt haben."

Weitere Infos zum Fertigungsprozess können Sie auf dieser Site nachlesen.

Intel: Testlabor in Braunschweig eröffnet (PC-WELT Online, 07.11.2003)

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