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Infineon startet Serienproduktion von 90nm-DRAMs

Der Halbleiterhersteller Infineon hat die Serienfertigung von 90nm-DRAMs in Dresden begonnen.

Der Halbleiterhersteller Infineon hat die Serienfertigung von 90nm-DRAMs in Dresden begonnen. Die frühzeitige Einführung der nächsten Technologiegeneration sei einer der wichtigsten Faktoren zur Steigerung der Produktivität bei der DRAM-Fertigung, teilte Infineon am Donnerstag mit. Dadurch würden die Produktionskosten gesenkt und gleichzeitig die Leistungsfähigkeit der Produkte gesteigert.

Infineon hatte die 90mn-Technologie gemeinsam mit der taiwanischen Nanya in Dresden entwickelt. Der Transfer der Technologie zu Inotera Memories, dem taiwanischen Fertigungs-Joint-Venture von Infineon und Nanya, sei bereits im Gange.

Die kleineren Chipstrukturen mit 90nm erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110nm-Technologie um mehr als 30 Prozent. Die Entwicklungspartnerschaft mit Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70nm-Strukuren.

Nanoelektronik-Zentrum in Dresden eröffnet (PC-WELT Online, 01.06.2005)

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