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Kleinste SRAM-Zelle in 22nm-Technik entwickelt

Die Halbleiterforschung kann einen neuen Rekord verzeichnen: Der kleinste SRAM-Chip ist nur 0,1 Quadratmikrometer groß.

Eine gemeinsame Forschungsgruppe von IBM , Freescale, Toshiba, STMicroelectronics und dem Colege of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) meldet einen wichtigen Durchbruch auf dem Gebiet der Halbleitertechnik. Die Wissenschaftler haben die erste voll funktionsfähige SRAM-Speicherzelle in 22-Nanometer-Prozesstechnik entwickelt.

SRAM-Chips bilden die Grundlage für komplexere Einheiten wie Mikroprozessoren. Die von IBM und seinen Partnern entwickelte Zelle basiert auf einem konventionellen Design mit sechs Transistoren und hat eine Fläche von 0,1 Quadratmikrometern. Das entspricht einem achtzigtausendstel der Breite eines Haares.

Erreicht haben die Forscher den Rekord mit der Optimierung des SRAM-Zellen-Designs und des umgebenden Schaltkreis-Layouts. Damit soll außerdem die Stabilität der Chips verbessert werden. Bis die neuen Speicherzellen Serienreife erlangen, ist noch viel Arbeit nötig. Derzeit entwickelt IBM erst einmal die nächste Chip-Generation mit der 32-nm-High-K-Metal-Gate-Technologie. (jp)

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