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Samsung meldet Durchbruch bei 30-Nanometer-Produktion

23.10.2007 | 16:44 Uhr |

Die Techniker von Samsung haben eine neue Methode zur Produktion von Flash-Speicherchips entwickelt, die Kapazitäten im dreistelligen GB-Bereich ermöglicht. Dabei konnte auf bestehende Fertigungsanlagen zurückgegriffen werden, was Endprodukte zu einem günstigen Preis erwarten lässt.

Samsung hat einen NAND Flash-Speicherchip (64Gbit multilevel cell) präsentiert, der mit Hilfe der neuen 30-Nanometer-Technologie gefertigt wurde. Die "self-aligned double patterning"-Technik (SaDPT) wird dem Unternehmen zufolge die Kapazitäten kommender NAND Flash-Speicherchips massiv erhöhen.

So würden beispielsweise 16 dieser 64-Gbit-Chips - in einer Speicherkarte verbaut - 128 GB Kapazität bedeuten. Genug für etwa 80 DVD-Filme oder 32.000 Musikdateien, so das Unternehmen. Nutzer kommender iPhones, iPods, Zens oder anderen mobilen Unterhaltungsgeräten dürften sich also kaum über zu wenig Speicher beschweren dürfen.

Noch viel wichtiger als die reine Kapazitätssteigerung ist allerdings, dass für die Herstellung der neuen Chips keine komplett neuen Fabriken benötigt werden, sondern vielmehr bestehende Fertigungsanlagen genutzt werden können. Dies soll helfen, die Preise moderat zu halten.

Rund um SaDPT hat Samsung bereits 30 Patente angemeldet, zudem wurden auch 32-Gbit-Chips angekündigt, die auf derselben Technik basieren. Kleiner Wermutstropfen: Die Massenproduktion soll erst im Jahr 2009 starten.

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