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Durchbruch bei Entwicklung kleiner Transistoren

02.01.2004 | 12:23 Uhr |

Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal (Niedersachsen) und Wien ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer und damit leistungsfähigerer Transistoren gelungen. Im Gegensatz zu dem bisher verwendeten Siliziumoxid behält die neue Substanz auch in extrem dünnen Lagen ihre isolierende Eigenschaft.

Wissenschaftlern der Technischen Universitäten in Clausthal (Niedersachsen) und Wien ist nach eigenen Angaben ein Durchbruch bei der Entwicklung kleinerer und damit leistungsfähigerer Transistoren gelungen. Wie die Hochschulen am Mittwoch mitteilten, erforschten die Experten mit Computersimulationen die Wirkungsweise von Strontiumtitanat. Im Gegensatz zu dem bisher verwendeten Siliziumoxid behält die neue Substanz auch in extrem dünnen Lagen ihre isolierende Eigenschaft.

Forscher bemühen sich seit Jahren um die Entwicklung kleinerer Transistoren. "Je kleiner die Transistoren sind, desto schneller können sie schalten", erläuterte Prof. Peter Blöchl von der TU Clausthal. So würden auch die Prozessoren immer schneller. Damit ein Transistor funktioniert, benötige man eine dünne, isolierende Schicht, das Gatteroxid. Diese Schicht werde in wenigen Jahren nur noch ein Fünfzigtausendstel eines menschlichen Haares dick sein.

Mit dem bislang als Gatteroxid benutzten Siliziumdioxid lassen sich die Transistoren nach den Worten Blüchls auf Dauer aber nicht mehr verkleinern. Ist Siliziumdioxid - allgemein als Fensterglas bekannt - nur noch wenige Atomlagen dick, verliert es seine isolierende Eigenschaft. Im Transistor entsteht eine Art Kurzschluss. Also benötigt man ein Material, mit dem eine dickere und damit isolierende Schicht erzeugt werden kann, das sich aber sonst wie eine ultradünne Schicht à la Siliziumdioxid verhält.

Dem Forscherteam aus Wien und Clausthal ist es nun erstmals gelungen, genau dieses Zusammenwirken herauszufinden. Sie können dank Computersimulationen den Herstellungsprozess der Oxidschicht erklären und damit aufzeigen, wie man deren elektrische Eigenschaften beeinflussen kann.

Weitere Informationen finden Sie hier in englischer Sprache .

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