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DRAM bis zu 600 Mbit/s

31.05.2001 | 10:34 Uhr |

Die Infineon AG und Micron Technology haben ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung einer DRAM-Familie mit reduzierter Latenzzeit geschlossen. Reduced Latency DRAM, kurz RLDRAM soll der neue Speichertyp heißen. Diese Speicherbausteine sind speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen gedacht, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Die Infineon AG und Micron Technology haben ein Abkommen über die gemeinsame Entwicklung einer DRAM-Familie mit reduzierter Latenzzeit geschlossen. Reduced Latency DRAM, kurz RLDRAM soll der neue Speichertyp heißen. Diese Speicherbausteine sind speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen gedacht, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Die neuen Speicherbausteine sollen anfangs mit Datenraten von bis zu 600 Megabit pro Sekunde arbeiten. Die Latenzzeit des RLDRAM wird mit 22,9 ns angegeben. Im Vergleich mit heutigen Architekturen ist das etwa eine Halbierung: Beim PC-133 SDRAM beträgt sie Infineon zufolge 43,5 ns. Die Spezifikation des RLDRAM erfüllt die Anforderungen führender Netzwerkanbieter, mit denen hierzu im Vorfeld ausführliche Gespräche geführt worden seien.

Der RLDRAM-Speichertyp soll die Lücke zwischen dynamischen und statischen RAMs schließen. Geht es nach den beiden Unternehmen, so wird er zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine.

RAM-Preise weiter im Sinkflug (PC-WELT Online, 30.05.2001)

RAM-Ticker

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