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AMD stellt schnellere Transistoren-Generation vor

03.12.2001 | 15:03 Uhr |

AMD hat einen Transistor entwickelt, der die schnellsten Schaltgeschwindigkeiten erreicht hat, die bisher in der Halbleiterindustrie dokumentiert wurden. Der Complementary Metal Oxide Halbleiter mit einer Gate-Länge von 15 Nanometern ist ein Prototyp für Transistoren, der in zukünftigen AMD-Prozessoren eingesetzt werden soll.

AMD hat einen Transistor entwickelt, der nach Angaben des Unternehmens die schnellsten Schaltgeschwindigkeiten erreicht hat, die bisher in der Halbleiterindustrie dokumentiert wurden. Der Complementary Metal Oxide Halbleiter (CMOS) mit einer Gate-Länge von 15 Nanometern (0,015 Mikrometer) ist ein Prototyp für Transistoren, die in künftigen AMD-Prozessoren eingesetzt werden sollen.

Bei dem Transistor handelt es sich um einen CMOS basierten 0,8 Volt Baustein, der Geschwindigkeiten von 3,33 Billionen Schaltungen pro Sekunde erreicht.

Mit dem "Entwicklungssprung" will AMD bis zum Ende des Jahrzehnts in der Lage sein, die Anzahl der Transistoren auf einem Chip zu verzwanzigfachen. Die Rechenleistung soll verzehnfacht werden.

AMD sieht den 15-Nanometer-Transistor als ein "wesentliches Schlüsselelement" für die Entwicklung der 30-Nanometer-Prozessorgeneration von AMD, die voraussichtlich ab 2009 in die Massenfertigung gehen wird.

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